教师信息

职称：讲师

通讯地址：湖北省武汉市长江新区平江东路630号

研究方向

存算融合忆阻器（半导体器件）、光电融合忆阻器（光电子器件）、忆阻器安全应用（器件及应用）

教育背景

(1) 2010-09至2014-06 西安交通大学-电子科学与技术-学士；

(2) 2014-09至2019-06 中国科学院大学-微电子学与固体电子学-博士；

工作履历

(1) 2019-07至2024-07 长江存储控股集团-器件工程部-Principal Engineer；

(2) 2025-07 至今 湖北大学-集成电路学院-讲师；

(3) 2025-11 至今 湖北大学-集成电路学院-院务助理

学术兼职

(1) APL, JAP, SSE等期刊审稿人；

(2) 湖北江城实验室学术科学家；

奖励与荣誉

光谷“3551人才计划”优秀青年人才

学术成果、科研项目

学术成果：

1. G Liu, L Wu, Z Song, et al. Threshold switching in SiGeAsTeN chalcogenide glass prepared by As ion implantation into sputtered SiGeTeN film[J]. Applied Physics Letters, 2017, 111(25):252102.

2. G Liu, L Wu, Z Song, et al. Heterogeneous nucleus-induced crystallization for high-speed phase change memory applications[J]. Applied Physics Letters, 2019, 115:133505.

3. G Liu, L Wu, Z Song, et al. Increasing Trapped Carrier Density in Nanoscale GeSeAs Films by As Ion Implantation for Selector Devices in 3D-Stacking Memory[J]. ACS applied nano materials, 2019, 2:5373-5380.

4. G Liu, L Wu, Z Song, et al. The investigations of characteristics of Sb2Te as a base phase-change material[J]. Solid-State Electronics, 2017, 135:31-36.

5. G Liu, L Wu, Z Song, et al. The investigations of characteristics of GeSe thin films and selector devices for phase change memory[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2019.

6. Y Jin, C Liu, G Liu* et al. Image encryption and decryption utilizing physical unclonable function-based key generator by Ta/WTiOx/Pt memristor array, AIP Advances, 2026, 16(2): 025036.

授权专利：

1. 刘广宇、宋志棠、吴良才、封松林. Ge-Se-Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，申请号：201611262613.8 （已授权CN 106601911 B）

2. 刘广宇、刘峻、杨海波、彭文林、付志成. 相变存储器，申请号：CN202110729313.0 (已授权CN113451357B)

3. 刘广宇、刘峻、徐丽、杨海波、彭文林、付志成. 相变存储器，申请号：CN202222315935.1 （已授权CN218447235U）

4. 吴良才、刘广宇、宋志棠、封松林. 一种选通管材料、选通管单元及其制作方法，申请号：201611151825.9（已授权CN 106601907 B）

5. 章思帆、吴良才、刘广宇、宋志棠、宋三年. Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，申请号：CN201910466004.1 (已授权CN110148668B)

6. 彭文林、刘峻、杨海波、刘广宇、付志成、李松. 一种测试系统，申请号：CN202123127647.5 (已授权CN217086138U)

7. 彭文林、刘峻、杨海波、付志成、刘广宇. 一种磁存储器及其制备方法，申请号：CN202110406826.8 (已授权CN113299822B)

8. 彭文林、刘峻、杨海波、付志成、刘广宇. 相变存储器及其制作方法，申请号：CN202110350652.8 (已授权CN112951876B)